MOSFET di potenza IRF8113

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MOSFET di potenza IRF8113 canale N.
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Product Description


HEXSFET di potenza adatto per:
Alimentatori per notebook, convertitori DC/DC isolati.

Specifiche Tecniche:
Valori massimi
Vdss: 30V
Rds(on): 5,6 mΩ @Vgs = 10V
Id: 17A  Vgs @ 10V
Contenitore: SO8

Per maggiori informazioni vedi la scheda tecnica.

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